[发明专利]从低到高逻辑电平转换电路在审
申请号: | 201210520073.4 | 申请日: | 2012-12-06 |
公开(公告)号: | CN103856206A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 武洁;苏威;韩志强 | 申请(专利权)人: | 上海华虹集成电路有限责任公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种从低到高逻辑电平转换电路,包括:一锁存器,其输入为差分对管,由第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管构成,负载为交叉耦合对管,由第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管构成;一驱动器,设置在所述锁存器中,帮助所述锁存器实现迅速翻转;一反相器和一反馈管,设置在所述锁存器的一输出端;反馈管使所述电路输出在低电压域未上电时保持在定态,且当低电压域正常上电时,不影响锁存器的正常工作。本发明能避免逻辑电平被转换到电源电平时可能出现的不定态,而且节省功耗。 | ||
搜索关键词: | 低到高 逻辑 电平 转换 电路 | ||
【主权项】:
一种从低到高逻辑电平转换电路,包括;一锁存器,其输入为差分对管,负载为交叉耦合对管;所述差分对管由第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管构成,第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的源极与高电压逻辑低电平端相连接,该高电压逻辑低电平端记为VSS;所述交叉耦合对管由第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管构成,第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的源极与高电压逻辑高电平端相连接,该高电压逻辑高电平端记为VDD;其特征在于,还包括:一驱动器,一第一反相器,一第一反馈管;所述驱动器由第三PMOS晶体管和第四PMOS晶体管构成;第三PMOS晶体管的源极与第一PMOS晶体管的漏极相连接,其漏极与第一NMOS晶体管的漏极和第二PMOS晶体管的栅极相连接,该连接的节点记A点;第三PMOS晶体管的栅极与第一NMOS晶体管的栅极与正输入端相连接;第四PMOS晶体管的源极与第二PMOS晶体管的漏极相连接,其漏极与第二NMOS晶体管的漏极和第一PMOS晶体管的栅极相连接,该连接的节点记B点;第四PMOS晶体管的栅极与第二NMOS晶体管的栅极与负输入端相连接;所述第一反馈管由第六PMOS晶体管构成,其源极与VDD相连接,其漏极与A点相连接,其栅极与正输出端相连接;所述第一反相器由第三NMOS晶体管和第五PMOS晶体管构成;第五PMOS晶体管的源极与VDD相连接,其漏极与第三NMOS晶体管的漏极相连接,该连接的节点作为正输出端,第三NMOS晶体管的源极与VSS相连接。
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