[发明专利]双向三极栅流体装置及其制造方法以及包含该装置的电路

摘要

本发明公开了一种用于高电压静电放电(ESD)防护的双向三极栅流体(TRIAC)装置及其制造方法以及包含该装置的电路，该装置可包括一衬底、一N⁺掺杂埋层、一N型阱区以及二个P型阱区。该N⁺掺杂埋层可被设置邻近于该衬底。该N型阱区可围绕该两个P型阱区，使得该N型阱区的一部分被设置在该两个P型阱区之间。该P型阱区可设置在邻近于该N⁺掺杂埋层，且包括一或多个N⁺掺杂板和一或多个P⁺掺杂板。被设置于该两个P型阱区之间的该N型阱区的该部分可以包括一或多个P型部分，比如一P⁺掺杂或一P型注入。

主权项

一种半导体装置，包括：一P型衬底；一N⁺掺杂埋层，邻近于该P型衬底而被设置；一第一P型阱区，邻近于该N⁺掺杂埋层而被设置；一第二P型阱区，邻近于该N⁺掺杂埋层而被设置；以及一N型阱区，邻近于该N⁺掺杂埋层，且围绕该第一和该第二P型阱区，从而使该N型阱区的至少部分被安插于该第一和该第二P型阱区之间；其中被安插于该第一和该第二P型阱区之间的该N型阱区的该部分包括一P型部分；其中该第一P型阱包括第一、第二和第三N⁺掺杂板、第一和第二P⁺掺杂板、以及第一和第二栅极结构，该第一P⁺掺杂板邻近于该第一N⁺掺杂板而被设置，该第一栅极结构被安插于该第一和该第二N⁺掺杂板之间，该第二栅极结构被安插于该第二和该第三N⁺掺杂板之间，且该第二P⁺掺杂板邻近于该第三N⁺掺杂板而被设置；以及更在其中该第二P型阱包括第四、第五和第六N⁺掺杂板、第三和第四P⁺掺杂板、以及第三和第四栅极结构，该第三P⁺掺杂板邻近于该第四N⁺掺杂板而被设置，该第三栅极结构被安插于该第四和该第五N⁺掺杂板之间，该第四栅极结构被安插于该第五和该第六N⁺掺杂板之间，且该第四P⁺掺杂板邻近于该第六N⁺掺杂板而被设置。