[发明专利]阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 201210528046.1 | 申请日: | 2012-12-10 |
公开(公告)号: | CN103378164A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 刘容雨;裵相绚;金主延 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L27/32;H01L51/56;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法,所述阵列基板包括:基板,具有像素区域;栅极线,位于基板上;栅极电极,位于基板上并且与栅极线相连;栅极绝缘层,位于栅极线和栅极电极上;数据线,位于栅极绝缘层上并且与栅极线相交以限定像素区域;源极电极和漏极电极,位于栅极绝缘层上并且与栅极电极相对应,所述源极电极与数据线相连,所述漏极电极与源极电极间隔开;氧化物半导体层,位于源极和漏极电极的顶部。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括:基板,具有像素区域;栅极线,位于基板上;栅极电极,位于基板上且与栅极线相连;栅极绝缘层,位于栅极线和栅极电极上;数据线,位于栅极绝缘层上且与栅极线相交以界定像素区域;源极电极和漏极电极,位于栅极绝缘层上且与栅极电极相对应,所述源极电极与数据线连接,所述漏极电极与源极电极间隔开;和氧化物半导体层,位于源极和漏极电极的顶部上。
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