[发明专利]静电放电保护电路及其制作方法有效
| 申请号： | 201210530228.2 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103872039A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩;冯军宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/38;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种静电放电保护电路，包括位于半导体衬底上的栅极接地N型金属氧化物半导体GGNMOS晶体管，所述GGNMOS晶体管的漏极连接芯片电路的输入/输出端，源极和栅极以及半导体衬底均接地；该电路还包括位于所述GGNMOS晶体管附近，用于吸收所述GGNMOS晶体管产生的热量的珀耳帖冷却元件。本发明还公开了一种静电放电保护电路的制作方法。采用本发明能够延长ESD保护器件的工作寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 电路 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种静电放电保护电路，包括位于半导体衬底上的栅极接地N型金属氧化物半导体GGNMOS晶体管，所述GGNMOS晶体管的漏极连接芯片电路的输入/输出端，源极和栅极以及半导体衬底均接地；其特征在于，该电路还包括位于所述GGNMOS晶体管附近，用于吸收所述GGNMOS晶体管产生的热量的珀耳帖冷却元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
