[发明专利]垂直无结环栅MOSFET器件的结构及其制造方法

摘要

本发明提供的是一种垂直无结环栅MOSFET器件的结构及其制造方法。包括底层n型硅晶圆衬底101，漏区111位于器件的最低端；在衬底101上外延生长漏扩展区106，沟道区107，和源区108，栅氧化层109包围整个沟道区107，在栅氧化层109上淀积多晶硅栅110。所述漏扩展区106、沟道区107、源区108和漏区111的掺杂类型与浓度相同，均为n+掺杂，掺杂浓度为1×1019～8×1019cm-3；所述多晶硅栅110为p+掺杂，掺杂浓度为5×1019cm-3。本发明提供一种有效抑制短沟道效应的作用的垂直无结环栅MOSFET结构，还提供一种可以简化工艺流程，灵活控制栅长和硅体区厚度的垂直无结环栅MOSFET的制造方法。

主权项

垂直无结环栅MOSFET器件的结构为：包括底层n型硅晶圆衬底（101），漏区（111）位于器件的最低端；其特征是：在n型硅晶圆衬底（101）上外延生长漏扩展区（106），沟道区（107），和源区（108），栅氧化层（109）包围整个沟道区（107），在栅氧化层（109）上淀积多晶硅栅（110），所述漏扩展区（106）、沟道区（107）、源区（108）和漏区（111）的掺杂类型与浓度相同，均为n+掺杂，掺杂浓度为1×1019~8×1019cm‑3；所述多晶硅栅（110）为p+掺杂，掺杂浓度为5×1019cm‑3。