[发明专利]覆晶封装晶片结合平台温度稳定治具有效
| 申请号： | 201210534300.9 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103871834A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 张宏伟 | 申请（专利权）人： | 颀中科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/56 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215021 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种覆晶封装晶片结合平台温度稳定治具，其设于结合平台一侧，包括一治具支架，其上设一吹气管，所述吹气管具有一进气口及一出气口。所述出气口口径小于进气口口径。所述出气口为若干个出气口组成。与现有技术相比，本发明之治具可对结合平台外表面进行降温，与结合平台自身温控系统共同作用，使整个系统处在设定的温度状态，对温度控制更迅速，能够更及时地控制软性基板的涨缩，对覆晶结合精度提供有力的保证，尤其对微间距软性基板覆晶封装有明显效果，能提高产品品质。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 晶片 结合 平台 温度 稳定 | ||
【主权项】：
一种覆晶封装晶片结合平台温度稳定治具，其设于覆晶封装晶片结合平台一侧，其特征在于，包括一治具支架，其上设一吹气管，所述吹气管具有一进气口及一出气口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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