[发明专利]掩模板、曝光系统和曝光方法有效
申请号: | 201210537158.3 | 申请日: | 2012-12-12 |
公开(公告)号: | CN103034046A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 陈珍霞;李凡;姜妮 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/52 | 分类号: | G03F1/52;G03F7/20 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种掩模板、曝光系统和曝光方法,属于显示技术领域。曝光系统包括掩膜板和主反射结构,掩膜板包括透光区域和不透光区域,透光区域的图形与第一基板的待曝光区域的图形相对应,不透光区域上设置有用于反射曝光光线的反射区域,反射区域的图形与第二基板的待曝光区域的图形相对应;在曝光光线照射掩膜板,穿过掩膜板的透光区域对第一基板进行曝光时,掩膜板的反射区域反射曝光光线至主反射结构,主反射结构将反射区域反射来的光线再反射至第二基板的待曝光区域对第二基板进行曝光。本发明能够解决对具有不同构图图案的基板,需要用不同的掩膜板进行曝光;并且每次曝光过程中,照射在掩模板不透光区域的曝光光线没有被利用的问题。 | ||
搜索关键词: | 模板 曝光 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种掩模板,所述掩膜板包括透光区域和不透光区域,其特征在于,所述透光区域的图形与第一基板的待曝光区域的图形相对应,所述不透光区域上设置有用于反射曝光光线的反射区域,所述反射区域的图形与第二基板的待曝光区域的图形相对应。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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