[发明专利]双极晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201210537229.X | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103022108A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 王玉东;付军;崔杰;赵悦;刘志弘;张伟;吴正立;李高庆 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京中伟智信专利商标代理事务所 11325 | 代理人： | 张岱 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品基区-集电区结寄生电容过大的缺陷而设计。本发明双极晶体管包括集电区、本征基区、隔离氧化层、外基区、发射区、以及侧墙。本征基区的边缘位于隔离氧化层的上方，外基区全部位于隔离氧化层的上方。本发明双极晶体管制备方法用氮化硅侧墙作为保护进行氧化形成隔离氧化层，然后去掉氮化硅侧墙形成外基区，实现了本发明双极晶体管。本发明双极晶体管有效地减小了基区-集电区结寄生电容，改善了器件的性能。本发明双极晶体管制备方法工艺步骤简明，对设备等技术条件要求低，适于大规模生产加工。 | ||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双极晶体管，其特征在于，所述晶体管包括集电区，设置在所述集电区上的本征基区和隔离氧化层，设置在所述隔离氧化层上的外基区，设置在所述本征基区上的发射区，以及设置在所述发射区侧面的侧墙；所述本征基区的边缘位于所述隔离氧化层的上方，所述外基区全部位于所述隔离氧化层的上方。
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