[发明专利]一种旋转和吹气诱导反向凝固提纯多晶硅的方法及设备有效
申请号: | 201210537381.8 | 申请日: | 2012-12-13 |
公开(公告)号: | CN102976335A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 姜大川;安广野;石爽;谭毅 | 申请(专利权)人: | 青岛隆盛晶硅科技有限公司 |
主分类号: | C01B33/037 | 分类号: | C01B33/037 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 266234 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明属于冶金提纯技术领域,特别涉及一种反向诱导凝固的方法及设备。该方法在真空环境中,将洗净的硅料加热至完全熔化定向凝固;待凝固完成80~90%时,转动坩埚使上层硅熔体在离心力的作用下向坩埚侧壁聚集,同时向上层剩余硅熔体顶端中心吹入惰性气体,使上层剩余硅熔体在气流的作用下从坩埚中心向侧壁聚集并迅速反向凝固,在坩埚侧壁处完全凝固;整个硅锭冷却后去除坩埚侧壁凝固得到的上层铸锭,剩余的铸锭为高纯硅铸锭,本发明的设备是在原有定向凝固设备的基础之上增加坩埚旋转和吹气的功能,本发明减少了杂质的反扩散,提高了铸锭的出成率,减少了工艺环节,降低了能耗,设备改造安装方便,有效去除铸锭尾部富集的杂质,节约生产周期和成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 旋转 吹气 诱导 反向 凝固 提纯 多晶 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种旋转和吹气诱导反向凝固提纯多晶硅的方法,其特征是:在真空环境中,将洗净的硅料加热至完全熔化形成硅熔体,保温后降温、垂直向下拉锭,进行定向凝固;待凝固完成80~90%时,转动坩埚(7)使上层剩余硅熔体在离心力的作用下向坩埚(7)侧壁聚集,同时向上层剩余硅熔体顶端中心吹入惰性气体,使上层剩余硅熔体在气流的作用下从坩埚(7)中心向侧壁聚集并迅速反向凝固,最后在坩埚(7)侧壁处完全凝固;待整个硅锭冷却后取出,去除坩埚(7)侧壁凝固得到的上层铸锭,剩余的下层铸锭为高纯硅铸锭。
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