[发明专利]通孔结构及方法有效
| 申请号： | 201210539996.4 | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103681549A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 林咏淇;陈新瑜;黄麟智;吴仓聚;邱文智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种装置包括形成在衬底中的通孔。通孔耦合在衬底的第一侧和第二侧之间。通孔包括紧邻衬底的第二侧的底部，其中，底部由导电材料形成。通孔进一步包括由导电材料形成的侧壁部和形成在侧壁部之间的中部，其中，中部由介电材料形成。本发明还提供了通孔结构及方法。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：层间介电层，形成在衬底的第一侧上；第一金属化层，形成在所述层间介电层上方，所述第一金属化层包括形成在第一金属间介电材料中的多条金属线；以及通孔，形成在所述衬底中，所述通孔包括：底部，由导电材料形成，并且所述底部紧邻所述衬底的第二侧；侧壁部，由所述导电材料形成，所述侧壁部的第一端耦合至所述底部且所述侧壁部的第二端耦合至所述第一金属化层的金属线；和中部，形成在所述侧壁部之间，并且所述中部由介电材料形成。
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