[发明专利]一种半导体超浅结的制备方法无效
| 申请号： | 201210544389.7 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103871814A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 邹志超;李超波;窦伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明披露了半导体超浅结的制备方法，采用的离子注入法为等离子体浸没离子注入法，包含：提供硅基片，在所述硅基片的表面制备阻挡层，所述阻挡层用来阻挡进行离子注入时注入的离子；对所述硅基片从阻挡层面进行离子注入；在完成所述离子注入后，去除所述阻挡层。本发明提供的半导体超浅结的制备方法，与不利用阻挡层掩盖，直接进行等离子体浸没离子注入相比，在相同的注入深度，利用阻挡层进行阻挡一部分注入离子的注入方式可以提高离子注入的能量。由于注入能量越高，在注入时硅基片表面形成的鞘层将会越稳定，这将有利用改善超浅结注入的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 超浅结 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体超浅结的制备方法，采用的离子注入法为等离子体浸没离子注入法，其特征在于，包含：在硅基片的表面制备阻挡层，所述阻挡层用来阻挡进行离子注入时注入的离子；对所述硅基片从阻挡层面进行离子注入；在完成所述离子注入后，去除所述阻挡层。
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