[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 201210544578.4 | 申请日: | 2012-12-14 |
公开(公告)号: | CN103187339A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 武明励;难波敏光 | 申请(专利权)人: | 大日本网屏制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;郭晓东 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法,基板处理装置(1)具有槽主体(11)、盖部(12)、以喷淋状喷出SPM溶液的处理液喷嘴(31)、喷出氮气的气体喷嘴(32)。盖部开闭槽主体的上部的搬入口(110)。处理液喷嘴从与基板(9)的外缘部相向的槽主体(11)的侧壁(111)向基板喷出处理液(91)。在基板搬入至槽主体之前,通过从气体喷嘴朝向盖部的下表面喷出气体,能够除去在处理之前的基板时或者在进行从处理液喷嘴喷出处理液的调温时附着于盖部的下表面的处理液的液滴。由此,能够防止或者减小处理液的液滴落至并附着于刚刚搬入至槽主体的基板上。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其特征在于,具有:槽主体,其以使相邻的基板的主面相向并以立起姿势排列的状态,容置从上部的搬入口搬入的多个基板;盖部,其对上述槽主体的上述搬入口进行开闭;多个处理液喷嘴,其向上述槽主体内的上述多个基板喷出处理液;至少一个气体喷嘴,其向上述盖部的下表面喷出气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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