[发明专利]控制FinFET结构中的鳍状件高度有效
| 申请号： | 201210546428.7 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103208517A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 莫亦先;陈筱筑;江木吉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种器件，该器件包括衬底、在所述衬底的顶面的隔离区，以及在所述隔离区上方的半导体鳍状件。半导体鳍状件具有小于大约 |
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| 搜索关键词： | 控制 finfet 结构 中的 鳍状件 高度 | ||
【主权项】：
1.一种器件，包括：衬底；在所述衬底的顶面的隔离区；以及在所述隔离区上方的第一半导体鳍状件，其中所述第一半导体鳍状件具有小于约![]()
的鳍状件高度，并且其中所述鳍状件高度从所述第一半导体鳍状件的顶面到所述隔离区的顶面测量得到。
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