[发明专利]一种大功率LED封装用有机硅低聚体的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210552315.8 申请日: 2012-12-18
公开(公告)号: CN103012456A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 陈维;张学超;陈田安 申请(专利权)人: 烟台德邦先进硅材料有限公司
主分类号: C07F7/08 分类号: C07F7/08
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 杨立
地址: 264006 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种大功率LED封装用有机硅低聚体的制备方法,包括以下步骤:使酰氧基硅烷、羧酸与烃氧基硅烷在有机溶剂和酸性催化剂存在下进行脱酯缩合反应制备缩合产物;对生成的缩合产物进行水洗、干燥和除溶剂得有机硅低聚体。本发明在整个过程中避免了水的参与,反应更易于控制,不易形成凝胶或环体,从而最大限度地降低了制备过程中的烃氧基硅烷本身的缩聚、环化反应。
搜索关键词: 一种 大功率 led 封装 有机硅 低聚体 制备 方法
【主权项】:
1.一种大功率LED封装用有机硅低聚体的制备方法,其特征在于,包括:(i)使物质的量为m的式的酰氧基硅烷、物质的量为n的式的羧酸和物质的量为p的式R5aSi[OR6]4-a的烃氧基硅烷在有机溶剂和酸性催化剂存在下进行脱酯缩合反应,制备式[R1R2R3SiO1/2]b[R5aSiO(4-a)/2]c的缩合产物,其中,R1、R2、R3为氢原子、烃基或取代的烃基中的一种或几种;R4、R6为烷基或环烷基;R5为烃基,且至少有一种R5为苯基;m>0,n≥0,p>0,a=1或2,b为结构单元[R1R2R3SiO1/2]的物质的量的分数,c为结构单元[R5aSiO(4-a)/2]的物质的量的分数,0<b<1,0<c<1,且mp(4-a)=bc,]]>np(4-a)-m2;]]>(ii)将(i)得到的缩合产物水洗、干燥和除溶剂,即得有机硅低聚体。
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