[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件的形成方法，包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一鳍部、第二鳍部，所述第一鳍部的上表面高于所述第二鳍部的上表面；形成横跨所述第一鳍部的第一栅介质层和位于第一栅介质层上的第一栅极、横跨第二鳍部的第二栅介质层和位于第二栅介质层上的第二栅极；形成层间介质层，覆盖所述衬底、第一栅极、第二栅极；去除所述第一鳍部上的层间介质层、第一鳍部上的第一栅介质层、第一鳍部上的第一栅极、第二栅极上的层间介质层。采用本发明方案，在一片晶圆上同时形成三终端鳍式场效应晶体管和四终端鳍式场效应晶体管是半导体技术上的一大突破，具有很显著的进步。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底为绝缘体上硅衬底，包括底部硅层、位于所述底部硅层上的绝缘层、位于所述绝缘层上的顶部硅层；在所述半导体衬底上形成第一鳍部、第二鳍部，所述第一鳍部的上表面高于所述第二鳍部的上表面；形成横跨所述第一鳍部的第一栅介质层和位于第一栅介质层上的第一栅极、横跨第二鳍部的第二栅介质层和位于第二栅介质层上的第二栅极；形成层间介质层，覆盖所述衬底、第一栅极、第二栅极；去除所述第一鳍部上的层间介质层、第一鳍部上的第一栅介质层、第一鳍部上的第一栅极、第二栅极上的层间介质层；其中，所述形成第一鳍部和第二鳍部的方法，包括：根据待形成的第一鳍部、第二鳍部的位置，将所述顶部硅层分成第一顶部硅层和第二顶部硅层，第一顶部硅层对应形成第一鳍部，第二顶部硅层对应形成第二鳍部；去除部分高度的第二顶部硅层；图形化所述第一顶部硅层和去除了部分高度的第二顶部硅层，形成第一鳍部和第二鳍部。