[发明专利]PMOS晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 201210553318.3 | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103871889A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 张彬 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种PMOS晶体管及其形成方法，所述PMOS晶体管包括：半导体衬底、位于半导体衬底上的栅极结构、位于栅极结构侧壁上的主侧墙和位于主侧墙两侧半导体衬底内的锗硅层，所述锗硅层呈线宽逐渐减小的阶梯状。本发明PMOS晶体管的形成方法工艺简单，所形成PMOS晶体管性能较佳。 | ||
| 搜索关键词： | pmos 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述栅极结构的侧壁上形成主侧墙；氧化主侧墙两侧的半导体衬底表面，形成第一氧化层；去除所述第一氧化层，在半导体衬底内形成第一凹槽；在主侧墙侧面以及第一凹槽的侧壁上形成伪侧墙；氧化伪侧墙两侧第一凹槽内的半导体衬底表面，形成第二氧化层；去除所述第二氧化层，在半导体衬底内形成与第一凹槽贯通的第二凹槽，所述第二凹槽的线宽小于第一凹槽的线宽；去除所述伪侧墙；在凹槽内填充满锗硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210553318.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：信号解码的方法和设备
- 下一篇：一种手摇式音乐盒
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
