[发明专利]晶片封装体及其形成方法有效
申请号: | 201210555392.9 | 申请日: | 2012-12-19 |
公开(公告)号: | CN103165545A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 刘国华;张义民;林锡坚 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L25/16;H01L21/56 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台湾桃园县中*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种晶片封装体及其形成方法,该晶片封装体包括:一基底,具有一第一表面及一第二表面;一元件区,形成于该基底之中或设置于该基底之上;一介电层,设置于该基底的该第一表面上;一导电垫,设置于该介电层之中,且电性连接该元件区;一平坦层,设置于该介电层之上,其中该平坦层与该导电垫的上表面之间的一垂直距离大于约2微米;一透明基板,设置于该基底的该第一表面上;一第一间隔层,设置于该透明基板与该平坦层之间;及一第二间隔层,设置于该透明基板与该基底之间,且延伸进入该介电层的一开口而接触该导电垫,其中该第二间隔层与该导电垫之间大抵无间隙。本发明使得透明基板稳固地接合于基底之上,且在后续切割制程不会损坏晶片封装体。 | ||
搜索关键词: | 晶片 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片封装体,其特征在于,包括:一基底,具有一第一表面及一第二表面;一元件区,形成于该基底之中或设置于该基底之上;一介电层,设置于该基底的该第一表面上;至少一导电垫,设置于该介电层之中,且电性连接该元件区;一平坦层,设置于该介电层之上,其中该平坦层的一上表面与该导电垫的一上表面之间的一垂直距离大于2微米;一透明基板,设置于该基底的该第一表面上;一第一间隔层,设置于该透明基板与该平坦层之间;以及一第二间隔层,设置于该透明基板与该基底之间,且延伸进入该介电层的一开口而接触该导电垫,其中该第二间隔层与该导电垫之间大抵无间隙。
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