[发明专利]互连线结构及互连线结构的形成方法

摘要

一种互连线结构及互连线结构的形成方法，其中，互连线结构的形成方法包括提供半导体衬底，半导体衬底中形成有半导体器件；在半导体衬底上形成层间介质层；在层间介质层上形成导电层；在形成导电层后，在导电层和层间介质层中形成沟槽，沟槽的深度小于导电层和层间介质层的厚度之和，沟槽的深宽比大于0.8；在形成沟槽后，沉积金属间介质层，金属间介质层覆盖导电层并填充沟槽，在沟槽内金属间介质层中形成空气隙。与现有技术相比，在本发明中，沟槽的高度包括导电层和部分层间介质层的高度，使得相邻互连线之间沟槽的深宽比增大，在沟槽内金属间介质层中形成的空气隙较大，减小甚至消除寄生电容，提高半导体器件的性能。

主权项

一种互连线结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有半导体器件；通过化学气相沉积或热氧化生长工艺在所述半导体衬底上形成层间介质层；在所述层间介质层上形成导电层；在形成所述导电层后，在导电层上形成图形化的光刻胶层，且导电层和光刻胶层之间不含有其它层，以图形化的光刻胶层为掩膜，采用干法刻蚀工艺，刻蚀导电层和部分层间介质层，且不暴露半导体衬底，从而在导电层和层间介质层中形成沟槽，沟槽两侧的金属层作为金属互连线，所述沟槽的深度小于所述导电层和所述层间介质层的厚度之和；所述层间介质层隔离半导体衬底和导电层；在形成所述沟槽后，沉积金属间介质层，所述金属间介质层覆盖导电层并填充沟槽，通过设置较大的沟槽深宽比，使得沉积金属间介质层时，在沟槽内金属间介质层中形成较大体积的空气隙，所述较大的沟槽深宽比为大于0.8。