[发明专利]衬底通孔及其形成方法有效
| 申请号： | 201210558295.5 | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103378033A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 陈明发;王宇洋;詹森博 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种器件包括半导体衬底和金属氧化物半导体(MOS)晶体管。MOS晶体管包括位于半导体衬底上方的栅电极和位于栅电极旁边的源极/漏极区。源极/漏极接触塞包括下部和位于下部上方的上部，其中源极/漏极接触塞设置在源极/漏极区上方并且与其电连接。栅极接触塞设置在栅电极上方并且与其电连接，其中栅极接触塞的顶面与源极/漏极接触塞的上部的顶面齐平。衬底通孔(TSV)延伸进半导体衬底。TSV的顶面与栅极接触塞和栅电极之间的界面基本上齐平。本发明提供衬底通孔及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：半导体衬底；金属氧化物半导体(MOS)晶体管，包括：栅电极，位于所述半导体衬底上方；和源极/漏极区，位于所述栅电极的旁边；源极/漏极接触塞，包括下部和位于所述下部上方的上部，其中，所述源极/漏极接触塞位于所述源极/漏极区上方并与所述源极/漏极区电连接；栅极接触塞，位于所述栅电极上方并与所述栅电极电连接，所述栅极接触塞的顶面与所述源极/漏极接触塞的上部的顶面齐平；以及衬底通孔(TSV)，延伸进所述半导体衬底，所述TSV的顶面与所述栅极接触塞和所述栅电极之间的界面基本上齐平。
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