[发明专利]MOS电容器、其制造方法及使用该电容器的半导体器件在审
| 申请号： | 201210560741.6 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103545383A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 林庭燮 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L27/108;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOS电容器、其制造方法及使用该MOS电容器的半导体器件。MOS电容器布置在使用开放式位线结构的半导体器件的最外部单元区块中。MOS电容器包括设置在半导体基板中的第一电极、设置在半导体基板上的介电层以及设置在介电层上并且包括虚设位线的第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | mos 电容器 制造 方法 使用 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种MOS电容器，包括：第一电极，其包括虚设单元的沟道区和存储节点触点，所述虚设单元设置在使用开放式位线结构的单元阵列的最外部单元区块中；介电层，其设置在所述沟道区的一部分上方；以及第二电极，其设置在所述介电层上方且包括所述虚设单元的位线。
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