[发明专利]晶体管及其制造方法

摘要

一种产品，包括掺杂层、掺杂层上方的主体结构、掺杂层中限定的沟槽、部分填充沟槽的绝缘体、以及埋置在绝缘体中并且通过绝缘体与掺杂层和主体结构隔离的第一导电部件。掺杂层具有第一掺杂类型。主体结构具有上表面，并且包括体区。体区具有不同于第一掺杂类型的第二掺杂类型。沟槽具有底面。第一导电部件从与主体结构的上表面基本平齐的位置朝向沟槽的底面延伸。第一导电部件与掺杂层重叠一段重叠距离，并且重叠距离在0到2μm的范围内。本发明还提供了晶体管及其制造方法。

主权项

一种晶体管产品，包括：掺杂层，具有第一掺杂类型，所述掺杂层在其中限定沟槽，并且所述沟槽具有底面；主体结构，位于所述掺杂层上方，所述主体结构具有上表面并包括体区，并且所述体区具有不同于所述第一掺杂类型的第二掺杂类型；绝缘体，部分填充所述沟槽；以及第一导电部件，埋置在所述绝缘体中并且通过所述绝缘体与所述掺杂层和所述主体结构隔离，所述第一导电部件从与所述主体结构的上表面平齐的位置朝向所述沟槽的底面延伸，所述第一导电部件与所述掺杂层重叠一段重叠距离，所述重叠距离在0到2μm的范围内；第二导电部件，埋置在所述绝缘体中并且通过所述绝缘体与所述第一导电部件和所述沟槽的底面隔离，所述第二导电部件具有与所述第一导电部件不重叠的延伸部分，并且所述延伸部分朝向所述沟槽的底面延伸，其中：所述延伸部分具有延伸长度，所述第一导电部件具有下端，以及所述延伸长度在从所述第一导电部件的下端到所述沟槽的底面的距离的50％到95％的范围内。