[发明专利]发光芯片及其制造方法在审
申请号: | 201210561903.8 | 申请日: | 2012-12-22 |
公开(公告)号: | CN103887386A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 赖志成 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/38;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种发光芯片,包括基板及依次堆叠于基板上的第一半导体层、发光层、第二半导体层及电极,发光芯片开设从第二半导体顶部至少延伸至第一半导体层顶部的沟槽,发光层侧面发出的光线经由沟槽射出发光芯片外。此发光芯片可兼顾散热及出光效率,从而适于产业上的应用。本发明还提供一种制造发光芯片组合的方法。 | ||
搜索关键词: | 发光 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光芯片,包括基板及半导体结构,半导体结构包括依次堆叠于基板上的第一半导体层、发光层及第二半导体层,其特征在于:发光芯片开设从第二半导体层顶面贯穿发光层并至少延伸至第一半导体层顶面的开槽,发光层侧面发出的光线经由开槽出射至发光芯片外。
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