[发明专利]半导体集成器件形成方法

摘要

一种半导体集成器件形成方法，在第一区域的掩膜层内形成第一开口，在第二区域的掩膜层内形成第二开口，在第一开口的侧壁形成第一侧墙，在第二开口的侧壁形成第二侧墙，且利用同一形成工艺在第一开口和第二开口内填充满多晶硅，位于第一开口内的多晶硅形成分栅式闪存的字线，位于第二开口的多晶硅形成多晶硅电阻，使得形成分栅式闪存的同时可以形成多晶硅电阻，不用增加额外的工艺，节省了生产工艺成本。

主权项

一种半导体集成器件形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和与第一区域相对的第二区域，所述第一区域的半导体衬底表面形成有第一绝缘材料层，所述第一绝缘材料层表面形成有浮栅材料层，所述浮栅材料层表面形成第二绝缘材料层，在所述第二绝缘材料层表面形成控制栅材料层，所述第二区域的半导体衬底表面形成有隔离层；在所述第一区域的控制栅材料层表面和第二区域的隔离层表面形成具有开口的掩膜层，其中，位于第一区域的开口为第一开口，位于第二区域的开口为第二开口；在所述第一开口的侧壁形成第一侧墙，在所述第二开口的侧壁形成第二侧墙；对所述第一开口暴露出来的控制栅材料层、第二绝缘材料层、浮栅材料层、第一绝缘材料层进行刻蚀；利用同一形成工艺在所述第一开口、第二开口底部和侧壁表面形成第一氧化层，且在所述第一开口、第二开口内填充满多晶硅，其中第一开口内的多晶硅形成字线，第二开口内的多晶硅形成多晶硅电阻；去除所述掩膜层和被掩膜层覆盖的位于第一区域的控制栅材料层、第二绝缘材料层、浮栅材料层、第一绝缘材料层，直至暴露出半导体衬底，在第一区域形成分栅式闪存。