[发明专利]TFT阵列基板及制作方法、显示装置无效
| 申请号： | 201210564622.8 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103021944A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 薛艳娜;王磊;薛海林;郭建 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L29/786;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种TFT阵列基板及制作方法、显示装置，涉及显示领域，能够减少构图工艺次数，降低阵列基板的制作成本。本发明实施例的TFT阵列基板的制作方法，包括：在基板上制作包括栅极的图案，所述包括栅极的图案至少包括栅极和栅极走线；依次形成栅绝缘层和半导体薄膜，通过一次构图工艺，制作形成位于所述栅绝缘层上的第一过孔以及位于所述半导体薄膜上的第二过孔，所述第一过孔与所述第二过孔对应位置相重合，均位于所述栅极走线的上方；形成源漏金属层，通过一次构图工艺，制作形成包括有源层的图案和包括源漏电极的图案。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在基板上制作包括栅极的图案，所述包括栅极的图案至少包括栅极和栅极走线；依次形成栅绝缘层和半导体薄膜，通过一次构图工艺，制作形成位于所述栅绝缘层上的第一过孔以及位于所述半导体薄膜上的第二过孔，所述第一过孔与所述第二过孔对应位置相重合，均位于所述栅极走线的上方；形成源漏金属层，通过一次构图工艺，制作形成包括有源层的图案和包括源漏电极的图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司，未经北京京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210564622.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
