[发明专利]分栅式快闪存储器的PIP电容及制备方法在审
| 申请号： | 201210567991.2 | 申请日： | 2012-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103021956A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 张雄 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/02;H01L27/115;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种分栅式快闪存储器的PIP电容及制备方法，其中，所述制备方法，包括：衬底包括外围区和核心区，核心区用于形成所述存储器的存储结构，外围区用于形成所述存储器的外围电路；在外围区的半导体衬底内形成隔离结构；在隔离结构中形成至少一个第一沟槽；在隔离结构表面形成第一多晶硅层，第一沟槽内的第一多晶硅层围成第二沟槽；在第一多晶硅层表面形成介质层，第二沟槽内的介质层围成第三沟槽；在介质层表面形成第二多晶硅层。本发明还提供一种分栅式快闪存储器的PIP电容。采用本发明的方法增加了分栅式快闪存储器的PIP电容器中的上电极与绝缘层、绝缘层与下电极之间的有效接触面积，减小所述PIP电容器占用芯片的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 分栅式快 闪存 pip 电容 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种制备分栅式快闪存储器的PIP电容的方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括外围区和核心区，所述核心区用于形成分栅式快闪存储器的存储结构，所述外围区用于形成分栅式快闪存储器的外围电路；在所述外围区的半导体衬底内形成隔离结构；在所述隔离结构中形成至少一个第一沟槽；在第一沟槽底部、侧壁、隔离结构表面形成第一多晶硅层，所述第一沟槽内的第一多晶硅层围成第二沟槽；在第二沟槽底部、侧壁、所述第一多晶硅层表面形成介质层，所述第二沟槽内的介质层围成第三沟槽；在所述第三沟槽的底部、侧壁、所述介质层表面形成第二多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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