[发明专利]一种掩膜板及其制造方法在审
申请号: | 201210568152.2 | 申请日: | 2012-12-24 |
公开(公告)号: | CN103901715A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 胡华勇 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62;G03F1/48 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;高伟 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种掩膜板及其制造方法,涉及半导体制造技术领域。本发明的掩膜板包括基底、位于基底上的图形化的硅钼薄膜、以及位于掩膜板的周边区域且位于硅钼薄膜上方的图形化的铬薄膜,还包括设置于铬薄膜上方且覆盖铬薄膜的保护层。本发明的掩膜板的制造方法,包括:提供基底,在基底上形成图形化的硅钼薄膜、位于硅钼薄膜上方且位于掩膜板周边区域的图形化的铬薄膜、以及位于铬薄膜上方且覆盖铬薄膜的保护层。本发明的掩膜板通过在周边区域的铬薄膜上增加保护层,阻止了清洗液及周围环境中的硫吸附在铬薄膜上,从而避免了掩膜板的雾状缺陷。本发明的掩膜板的制造方法制造的掩膜板,同样具有上述优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 掩膜板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种掩膜板,包括基底、位于所述基底上的图形化的硅钼薄膜、以及位于所述掩膜板的周边区域且位于所述硅钼薄膜上方的图形化的铬薄膜,其特征在于,所述掩膜板还包括设置于所述铬薄膜上方且覆盖所述铬薄膜的保护层。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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