[发明专利]一种基于忆阻器的非挥发D触发器有效
申请号: | 201210574495.X | 申请日: | 2012-12-26 |
公开(公告)号: | CN103051307A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 孙华军;徐小华;邵海滨;缪向水;梅健;盛安宇;蔡湧达;钟应鹏 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H03K3/01 | 分类号: | H03K3/01;H03K3/02 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 朱仁玲 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于忆阻器的非挥发D触发器,该D触发器采用主从锁存器结构,其中各个锁存器的电路中包括由两个忆阻器反相串联而成的忆阻器模块,并通过该忆阻器模块来执行非挥发锁存和触发功能。本发明还公开了锁存器的具体电路结构。通过本发明,能够充分利用忆阻器所具备的阻态差异和非挥发特性来实现非挥发的锁存和触发功能,所构建的D触发器不仅具备传统触发器的功能,且具备非挥发性的特点,适用于电源不稳定的应用领域,实现运算的持续进行。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 忆阻器 挥发 触发器 | ||
【主权项】:
一种基于忆阻器的非挥发D触发器,其特征在于,该D触发器采用主从锁存器结构,其中各个锁存器的电路中包括由两个忆阻器反相串联而成的忆阻器模块,并通过该忆阻器模块来实现非挥发的锁存功能,进而通过该非挥发锁存器实现非挥发D触发器。
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