[发明专利]半导体结构制造方法及制成的结构有效
| 申请号： | 201210575853.9 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103904031B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 陈士弘 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构的制造方法，包括提供一衬底，衬底上具有一导体层；形成一暂置层于导体层上，并对暂置层与下方该导体层的至少一部份进行图案化，以形成多个沟道；填入一第一介电层于沟道处，以形成多个第一介电件于沟道；移除暂置层，以裸露出第一介电件的部份；形成一第二介电层于裸露出的第一介电件，并图案化第二介电层以于裸露出的第一介电件的两侧各形成一间隙壁；和依据间隙壁对导体层进行图案化，以于第一介电件的两侧各形成一图案化导体部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 制成 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制造方法，包括：提供一衬底，该衬底上具有一导体层；形成一暂置层(dummy layer)于该导体层上，并对该暂置层与下方该导体层的至少一部份进行图案化，以形成多个沟道(trenches)；填入一第一介电层于该多个沟道处，以形成多个第一介电件于该多个沟道；移除该暂置层，以裸露出该多个第一介电件的部份；形成一第二介电层于裸露出的该多个第一介电件，并图案化该第二介电层以于裸露出的该多个第一介电件的两侧各形成一间隙壁(spacer)；和依据该多个间隙壁对该导体层进行图案化，以于该多个第一介电件的两侧各形成一图案化导体部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
