[发明专利]用于SRAM单元结构的方法和装置

摘要

本发明提供了一种SRAM单元结构。在一个实施例中，位单元第一层接触件形成于第一CVdd节点和第二CVdd节点、第一CVss节点和第二CVss节点、位线节点、位线条节点、数据节点和数据条节点；并且第二层接触件形成于在第一CVdd节点和第二CVdd节点、第一CVss节点和第二CVss节点、位线节点和位线条节点处的第一层接触件中的每一个第一层接触件上方；其中，形成于数据节点和数据条节点处的第一层接触件没有在其上的第二层接触件。在另一实施例中，形成字线，并且位线以及CVdd和CVss线形成在SRAM单元上方并且耦合到对应节点。公开了用于形成单元结构的方法。

主权项

一种装置，包括：至少一个SRAM单元，形成于半导体衬底的一部分中，包括：第一反相器，在其输出处具有数据节点，所述第一反相器进一步包括耦合在第一正电源CVdd节点与所述数据节点之间的第一上拉器件和耦合在第一接地电源CVss节点与所述数据节点之间的第一下拉器件，并且所述第一上拉器件和所述第一下拉器件的公共栅电极耦合至数据条节点；第二反相器，在其输出处具有所述数据条节点，所述第二反相器进一步包括耦合在第二正电源CVdd与所述数据条节点之间的第二上拉器件和耦合在第二接地电源CVss节点与所述数据条节点之间的第二下拉器件，并且耦合至所述数据节点的所述第二上拉器件和所述第二下拉器件的公共栅电极；第一传输门，耦合在位线节点与所述数据节点之间；第二传输门，耦合在位线条节点与所述数据条节点之间；第一层接触件，形成于所述第一CVdd节点和所述第二CVdd节点、所述第一CVss节点和所述第二CVss节点、所述位线节点、所述位线条节点、所述数据节点和所述数据条节点处；以及第二层接触件，形成于所述第一CVdd节点和所述第二CVdd节点、所述第一CVss节点和所述第二CVss节点、所述位线节点和所述位线条节点处的每一个所述第一层接触件上；其中，形成在所述数据节点和所述数据条节点处的所述第一层接触件不具有形成在其上的第二层接触件。