[发明专利]一种改进型大尺寸样品硒化处理装置有效
申请号: | 201210581601.7 | 申请日: | 2012-12-27 |
公开(公告)号: | CN103904154A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 李弢;华志强;吴云翼;郜健 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 刘茵 |
地址: | 100088 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种改进型大尺寸样品硒化处理装置,包括外壳,原料容器,原料加热装置,基片支撑台,基片加热器,原料加热装置热电偶,基片加热器热电偶和温度显示及控制装置;原料容器设置在外壳内;原料容器内具有原料加热装置,原料加热装置上设置原料加热装置热电偶;基片支撑台放置于外壳内,其上设置基片加热器,基片加热器上设置基片加热器热电偶,基片放置在基片加热器上;原料加热装置,基片加热器,原料加热装置热电偶和基片加热器热电偶分别与温度显示及控制装置连接。该装置将Se源加热装置和基片加热器采用独立控温设计,可以保证Se源蒸发时蒸汽压的可控性以及基片加热时制备温度与Se源蒸发温度分别控制,从而实现精确控制反应条件和反应进程。 | ||
搜索关键词: | 一种 改进型 尺寸 样品 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种改进型大尺寸样品硒化处理装置,其特征在于,其包括外壳(1),原料容器(2),原料加热装置(3),基片支撑台(4),基片加热器(5),原料加热装置热电偶(6),基片加热器热电偶(7)和温度显示及控制装置;该外壳(1)为中空密闭容器;该原料容器(2)设置在外壳(1)内,其中盛装原料硒;原料容器(2)内具有原料加热装置(3),该原料加热装置(3)上设置原料加热装置热电偶(6);该基片支撑台(4)放置于外壳(1)内,其上设置基片加热器(5),基片加热器(5)上设置基片加热器热电偶(7),基片放置在该基片加热器(5)上;该原料加热装置(3),基片加热器(5),原料加热装置热电偶(6)和基片加热器热电偶(7)分别与温度显示及控制装置连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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