[发明专利]一种AAQFN二次塑封与二次植球优化的封装件及其制作工艺在审
| 申请号： | 201210582218.3 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103021994A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 王虎;谌世广;刘卫东;李涛涛;马利 | 申请（专利权）人： | 华天科技（西安）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710018 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AAQFN二次塑封与二次植球优化的封装件及其制作工艺，所述封装件主要由蚀刻后铜引线框架、粘片胶、芯片、键合线、塑封料、蚀刻凹槽、锡球、镍钯金镀层组成。所述制作工艺主要按照以下步骤进行：铜框架半蚀刻、晶圆减薄、晶圆划片、上芯、压焊、一次塑封、框架背面蚀刻、刷锡膏回流、二次塑封、磨屑部分塑封体、锡球电镀镍钯金、二次植球。本发明具有节约封装成本、以及散热性、电性能和共面性好等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 aaqfn 二次 塑封 优化 封装 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种AAQFN二次塑封与二次植球优化的封装件，其特征在于：主要由蚀刻后铜引线框架（1）、粘片胶（2）、芯片（3）、键合线（4）、塑封料（5）和（8）、蚀刻凹槽（6）、锡球（7）和（10）、镍钯金电镀层（9）组成；所述的蚀刻后铜引线框架（1）是半蚀刻处理，其通过粘片胶（2）粘接芯片（3），芯片（3）通过键合线（4）与蚀刻后铜引线框架（1）的引脚相连，所述蚀刻后铜引线框架（1）、蚀刻后铜引线框架（1）的引脚、芯片（3）和键合线（4）由塑封体（5）包围连接；所述蚀刻凹槽（6）由蚀刻后铜引线框架（1）底部蚀刻后形成，所述锡球（7）由蚀刻后的引脚底部刷锡膏回流后形成，蚀刻凹槽（6）与锡球（7）由塑封体（8）包围连接；所述锡球（7）的横截面由磨屑形成，锡球（7）的横截面有镍钯金电镀层（9），所述锡球（10）浸锡回流后在镍钯金电镀层（9）上形成。
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