[发明专利]半导体晶片镀总线以及形成方法有效
| 申请号： | 201210583531.9 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103199021B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | T·S·尤林 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 冯玉清 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体晶片镀总线以及形成方法。一种半导体晶片（10）包括管芯（16）、边封（26、226）、焊盘（36、236）、镀总线（24、224）以及迹线（30、230）。管芯与锯路相邻。边封沿着管芯的周边且包括形成在管芯的最后互连层（108、308）中的导电层。焊盘形成为最后互连层上的金属沉积层的一部分或最后互连层的一部分。镀总线在锯路内。迹线在边封上、与边封绝缘且形成在金属沉积层中地（1）或者穿过边封且与边封绝缘地（2）连接到焊盘和镀总线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 总线 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶片，包括：与锯路相邻的管芯；沿所述管芯的周边的边封，其中所述边封包括形成在所述管芯的最后互连层中的第一导电层；焊盘，形成为包括所述最后互连层和所述最后互连层上的金属沉积层的组中的一个的一部分；在所述锯路内的镀总线；以及以一方式连接到所述焊盘且连接到所述镀总线的迹线，所述方式包括包含以下项的组中的一个：(1)在所述边封上方、与所述边封绝缘、并且形成在所述金属沉积层中；以及(2)穿过所述边封并且与所述边封绝缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
