[发明专利]电子组件封装的制法有效
| 申请号： | 201210585109.7 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103903990A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 陈昌甫;赖文隆;陈君豪 | 申请（专利权）人： | 欣兴电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种电子组件封装的制法，其包括：提供一承载板，其一表面上形成有第一金属层；在该第一金属层上形成第一介电层；在该第一介电层上形成第二金属层，并图案化该第二金属层，以露出该第一介电层；在该第一介电层中形成有至少一贯穿该第一介电层的开口使得部分该第一金属层外露；将至少一电子组件设置于该开口中；在该第一介电层上与该电子组件上形成第二介电层；在该第二介电层中形成有多个贯穿该第二介电层且外露该电子组件的盲孔；在该第二介电层上与所述盲孔中形成电性连接该电子组件的线路层；以及移除该承载板。本发明可减少该电子组件封装的整体厚度，进而降低制程成本。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 组件 封装 制法 | ||
【主权项】：
一种电子组件封装的制法，其包括：提供一承载板，其一表面上形成有第一金属层；在该第一金属层上形成第一介电层；在该第一介电层上形成第二金属层，并图案化该第二金属层，以露出该第一介电层；在该第一介电层中形成有至少一贯穿该第一介电层的开口，以外露部分该第一金属层；在该开口中设置至少一电子组件；在该第一介电层上与该电子组件上形成第二介电层；在该第二介电层中形成有多个贯穿该第二介电层且外露该电子组件的盲孔；在该第二介电层上与所述盲孔中形成电性连接该电子组件的线路层；以及移除该承载板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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