[发明专利]小线宽沟槽图形的制备方法

摘要

本发明公开了一种小线宽沟槽图形的制备方法，包括提供半导体衬底，在该半导体衬底上依次形成目标材料层、第一底部抗反射层以及第一光刻胶；第一次光刻，形成第一光刻胶主图形以及小尺寸旁瓣图形；在第一光刻胶主图形和相应旁瓣图形上涂布第二光刻胶；对该第二光刻胶进行光刻，产生定义第一次光刻后的旁瓣图形的区域；采用自对准技术，将旁瓣图形经刻蚀传递至目标材料层，形成具有小线宽的沟槽图形。本发明利用旁瓣现象，采用两次光刻实现小线宽沟槽图形，在线宽超过光刻机极限时，可以对现有光刻机的能力有很大的拓展。

主权项

一种小线宽沟槽图形的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S101，提供半导体衬底，在该半导体衬底上依次形成目标材料层、第一底部抗反射层以及第一光刻胶；步骤S102，第一次光刻，形成第一光刻胶主图形以及小尺寸旁瓣图形，旁瓣图形的线宽小于光刻设备分辨率；其中，该第一次光刻的掩膜版为衰减性相移掩膜版，通过常规方法调节光刻机的数值孔径和相干系数以及根据不同光刻胶或不同掩膜图形调节曝光能量获得旁瓣图形；步骤S103，在第一光刻胶主图形和相应旁瓣图形上涂布第二光刻胶；步骤S104，对该第二光刻胶进行第二次光刻，产生定义第一次光刻后的旁瓣图形的区域；步骤S105，采用自对准技术，将旁瓣图形经刻蚀传递至目标材料层，去除第一光刻胶、第二光刻胶和第一底部抗反射层，最终在目标材料层上形成具有小线宽的沟槽图形。