[发明专利]连接通孔至器件

摘要

连接通孔至器件。本发明提供了用于连接通孔和由应变硅材料形成的晶体管端子的方法和器件。端子可以是NMOS或PMOS晶体管的源极或漏极，其形成在衬底内。衬底上方的第一层间介电(ILD)层内的第一接触件形成在端子上方并且与端子连接。通孔延伸穿过第一ILD层至衬底中。第二接触件形成在位于第二ILD层和接触蚀刻终止层(CESL)内的第一接触件和通孔上方并且与第一接触件和通孔连接。第二ILD层位于CESL上方，而CESL位于第一ILD层上方，第一ILD层、第二ILD层和CESL全都位于晶体管的第一金属间介电(IMD)层和第一金属层之下。

主权项

一种半导体器件，包括：晶体管的端子，由应变硅材料形成并且形成在衬底内；第一接触件，位于所述端子上方并且与所述端子连接，所述第一接触件形成在所述衬底上方的第一层间介电(ILD)层内；通孔，穿过所述第一层间介电层延伸至所述衬底中，其中，所述通孔的整个顶面与所述第一接触件的顶面齐平；以及第二接触件，位于所述第一接触件和所述通孔上方并且为与所述第一接触件和所述通孔直接接触的连续件，所述第二接触件与所述第一接触件和所述通孔连接，并且整个第二接触件形成在第二层间介电层和接触蚀刻终止层(CESL)内，其中所述第二层间介电层位于所述接触蚀刻终止层上方，而所述接触蚀刻终止层位于所述第一层间介电层上方。