[发明专利]一种芍药切花槽式无土栽培方法无效

专利信息
申请号: 201210593004.6 申请日: 2012-12-31
公开(公告)号: CN103026956A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 刘燕;贾清华;韩婧;刘利刚;黄国京;甄宏宇 申请(专利权)人: 北京林业大学
主分类号: A01G31/00 分类号: A01G31/00;A01G31/02;A01C21/00
代理公司: 北京瑞思知识产权代理事务所(普通合伙) 11341 代理人: 王加岭
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种芍药切花槽式无土栽培方法,其改变了以往芍药大田地栽的生产模式,采用槽式无土栽培,并提供了配套的环境调控和施肥方法。采用该栽培方法进行切花生产,芍药品种‘紫凤羽’开花率达80%以上,花枝长度达75cm,开花5-6朵/株。其中开花率比盆栽提高80%,花枝长度比盆栽增加25.2%,切花产量和品质均得到提高。此外,芍药品种‘紫凤羽’在该栽培模式下病虫害及杂草相比大田地栽明显减少,开花率比大田地栽提高7.9%,花期比大田地栽提前15-22天。
搜索关键词: 一种 芍药 切花 无土栽培 方法
【主权项】:
一种芍药切花槽式无土栽培方法,其特征在于:1)大棚内开挖下凹式土槽作为种植槽,对槽底及侧面进行消毒处理,槽底与侧面铺无纺布,槽底无纺布上铺陶粒作为沥水层,槽内装填无土栽培基质;2)秋季槽内单行种植切花芍药,使其在自然环境下接受低温,待平均日气温降至0℃以下的1‑2月,用草帘覆盖植株,以免植株受冻害;室外平均气温达到0℃‑5℃,用薄膜覆盖温室,进行日光加温;覆膜后5‑7天,撤去覆盖草帘;之后每隔3‑4天早晚通风,将温室温度控制在22℃‑25℃;至室外平均气温达到10℃‑15℃,每日进行通风处理;待室外温度达到22‑25℃时,拆除温室薄膜;3)配套施肥方法:于芍药萌芽开始,施用N、P、K质量百分比分别为20%:20%:20%的的水溶性复合肥,每隔7‑10天施用一次,施肥浓度为1.5g/L,施肥量为1L/株·次;芍药花期过后,每隔1个月施用一次,施肥浓度为3.0g/L,施肥量为1L/株·次,施用3次。
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