[发明专利]晶体管隔离结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201210593654.0 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103066106A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 范春晖;孙德明;周伟 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管隔离结构及其制造方法，属于半导体器件领域，该方法包括：在半导体衬底上设置隔离沟槽；在所述隔离沟槽的内表面设置有半导体缓冲层；设置有半导体缓冲层的所述沟槽中填充有绝缘层；其中，所述半导体缓冲层的禁带宽度大于所述半导体衬底的禁带宽度。当器件隔离区受到辐射产生固定电荷，由于半导体缓冲层的禁带宽度大于衬底，可有效抑制半导体缓冲层中反型载流子的产生，提高形成寄生泄漏沟道的阈值，从而能够提升器件抗总剂量辐射的能力。同时，该隔离结构制造方法简单，且与传统集成电路加工工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 隔离 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管隔离结构，包括：半导体衬底、设置在所述半导体衬底上的隔离沟槽，所述隔离沟槽内表面设置有半导体缓冲层，设置有半导体缓冲层的所述沟槽中填充有绝缘层，其特征在于，所述半导体缓冲层的禁带宽度大于所述半导体衬底的禁带宽度。
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