[发明专利]一种薄膜晶体管生长工艺无效
| 申请号： | 201210595740.5 | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103066129A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 纪成友;贾道峰 | 申请（专利权）人： | 青岛红星化工集团自力实业公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/363 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种IGBZO TFT生长工艺及TFT流片工艺，该IGBZO生长工艺包括：1)腐蚀ITO玻璃；2)生长IGBZO复合层结构，其中，IGBZO复合层TFT器件后期制备流程包括1)刻蚀Al；2)湿法腐蚀IGBZO。在TFT流片工艺中，注意在有源层IGBZO生长过程，减少材料缺陷、优化沟道电导性能，控制栅绝缘层IGBZO的尺寸生长。从而获得低驱动电压、高开关比的TFT器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 生长 工艺 | ||
【主权项】：
一种IGBZO TFT生长工艺，其特征在于该IGBZO生长工艺包括：腐蚀ITO玻璃；生长IGBZO复合层结构其中，IGBZO复合层TFT器件后期制备流程如下：刻蚀Al；湿法腐蚀IGBZO。
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