[发明专利]一种提升芯片ESD性能的方法和电路有效
| 申请号： | 201210595901.0 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103915830A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 刘晓艳;马哲 | 申请（专利权）人： | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100102 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 出于稳定电源的目的，芯片中可能会给需要稳定的电源连接放电通路，该放电通路能够在电源发生突然增大时，给电源放电，减弱或消除电源的异常变化，增强芯片的抗干扰和抗攻击能力。但是随之带来的问题是芯片的ESD性能可能会受到影响。本发明提出了一种提升芯片ESD性能的方法和电路，既保证了当电源向上突变时对电源的快速放电，又能够提升芯片的ESD性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 芯片 esd 性能 方法 电路 | ||
【主权项】：
一种提升芯片ESD性能的电路，该电路包括放电器件、耦合电容、使能控制管；其中放电器件的栅极接在使能控制管的源极，放电器件源极和衬底接地，漏极接电源，耦合电容上极板接电源，下极板连接使能控制管的漏极，使能控制管衬底接地，漏极连接耦合电容的下极板，源极连接放电器件的栅极。
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