[发明专利]制造用于面内切换模式液晶显示器装置的阵列基板的方法有效
申请号: | 201210599070.4 | 申请日: | 2012-12-25 |
公开(公告)号: | CN103311182A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 崔元俊 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 提供了一种制造用于面内切换模式液晶显示器装置的阵列基板的方法,该阵列基板包括具有细的线宽的公共电极和像素电极。该阵列基板的像素电极和公共电极的形成包括沉积两个不同金属层以及使用选择性蚀刻工艺形成所述两个不同金属层的图案。因此,像素电极和中央公共电极可被形成为具有细的线宽,使得该面内切换模式液晶显示器装置可以具有提高的开口率。 | ||
搜索关键词: | 制造 用于 切换 模式 液晶显示器 装置 阵列 方法 | ||
【主权项】:
一种制造用于面内切换IPS模式液晶显示器LCD装置的阵列基板的方法,该方法包括以下步骤:在基板上顺序地形成第一金属层和第二金属层;在所述第二金属层上形成光致抗蚀剂图案,该光致抗蚀剂图案具有第一线宽;对暴露在所述光致抗蚀剂图案之外的所述第一金属层和所述第二金属层进行蚀刻,以形成具有比所述第一线宽小的第二线宽的双层结构的第一金属图案和第二金属图案;移除所述光致抗蚀剂图案;通过使用作为掩膜的所述第二金属图案和用于有选择地蚀刻所述第一金属图案的第一蚀刻剂,有选择地将所述第一金属图案蚀刻为具有比所述第二线宽小的第三线宽以形成像素电极和公共电极;以及通过使用用于有选择地蚀刻所述第二金属图案的第二蚀刻剂来有选择地蚀刻和移除所述第二金属图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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