[实用新型]一种掩膜板和掩膜板系统有效
| 申请号： | 201220006968.1 | 申请日： | 2012-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN202548530U | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 李文波;王刚 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/20;G02F1/1335;G02F1/133;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型实施例提供一种掩膜板和掩膜板系统，涉及光刻技术领域，用以使得一个掩膜板可调变呈现不同图案，从而减少在制造中使用掩膜板的数量。所述掩膜板包括：图案显示屏，用于呈现掩膜图案；控制单元，用于根据光刻工艺中所需的掩膜图案的灰阶信息控制所述图案显示屏在不同区域的光透过量，以呈现所述掩膜图案。本实用新型实施例可应用于液晶显示器的生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掩膜板 系统 | ||
【主权项】：
一种掩膜板，其特征在于，包括：图案显示屏，用于呈现掩膜图案；控制单元，用于根据光刻工艺中所需的掩膜图案的灰阶信息控制所述图案显示屏在不同区域的光透过量，以呈现所述掩膜图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201220006968.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种晒衣框架
- 下一篇：金属硅提纯用可拆装坩埚
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
