[实用新型]带有场板和场限环的二极管有效
| 申请号： | 201220039371.7 | 申请日： | 2012-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN202434524U | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 陈小建 | 申请（专利权）人： | 苏州力瑞电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215006 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种带有场板和场限环的二极管，其包括N+衬底层，形成于N+衬底层两侧的金属化层和N-外延层，在N-外延层中间隔扩散形成有P+主扩散区和P+场限环，P+场限环位于P+主扩散区外周；在N-外延层、P+主扩散区和P+场限环的同一侧形成有保护钝化层，钝化层位于P+主扩散区和P+场限环上方分别开设有肖特基接触窗口，肖特基接触窗口处位于钝化层上方连接有场板；位于P+主扩散区处上方上方的场板向其两侧延伸；位于P+场限环上方的场板向背向P+主扩散区的方向延神。采用场板和场限环结合，加宽了耗尽层宽度，提高了击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 场限环 二极管 | ||
【主权项】：
一种带有场板和场限环的二极管，其包括N+衬底层，形成于N+衬底层下侧的金属化层和形成于其上方的N‑外延层，其特征在于在所述的N‑外延层中间隔扩散形成有一P+主扩散区和至少一P+场限环，所述P+场限环位于所述P+主扩散区外周；在所述N‑外延层、所述P+主扩散区和所述P+场限环的同一侧形成有保护钝化层，所述钝化层位于所述P+主扩散区和所述P +场限环上方分别开设有肖特基接触窗口，所述肖特基接触窗口处位于所述钝化层上方连接有场板；位于所述P+主扩散区处上方的场板向其两侧延伸；位于所述P+场限环上方的场板向背向所述P+主扩散区的方向延神。
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