[实用新型]气浴装置、真空抽排装置以及半导体设备有效
| 申请号： | 201220056075.8 | 申请日： | 2012-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN202585358U | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 周善淮;王英;毕昕 | 申请（专利权）人： | 睿励科学仪器（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种气浴装置、真空抽排装置以及半导体设备。该气浴装置包括：洁净气源；气浴板，其通过调压阀与所述洁净气源流体地连通，并排出来自所述洁净气源的气体，其中，所述气浴板包括：进气口，其通过所述调压阀耦接到所述洁净气源；第一稳压腔，其用于稳定由所述进气口输入的气体的流速和压强；以及气浴孔板，其具有多个开孔，所述多个开孔面向被洁净区域，以将所述气体由所述第一稳压腔排向所述被洁净区域，并在所述被洁净区域形成层流。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 真空 以及 半导体设备 | ||
【主权项】：
一种用于提高局部区域洁净度的气浴装置，其特征在于，包括：洁净气源；气浴板，其通过调压阀与所述洁净气源流体地连通，并排出来自所述洁净气源的气体，其中，所述气浴板包括：进气口，其通过所述调压阀耦接到所述洁净气源；第一稳压腔，其用于稳定由所述进气口输入的气体的流速和压强；以及气浴孔板，其具有多个开孔，所述多个开孔面向被洁净区域，以将所述气体由所述第一稳压腔排向所述被洁净区域，并在所述被洁净区域形成层流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
