[实用新型]一种光电探测器、光电集成电路及光通信系统有效
| 申请号： | 201220106311.2 | 申请日： | 2012-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN202513189U | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 周志文;叶剑锋;张卫丰 | 申请（专利权）人： | 深圳信息职业技术学院 |
| 主分类号： | H01L31/112 | 分类号： | H01L31/112;H01L27/144 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 陈世洪 |
| 地址： | 518029 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型适用于光电技术领域，提供了一种光电探测器，所述光电探测器由场效应晶体管改制而成，包括衬底、于所述衬底边角处形成的源区和漏区、于所述衬底表面形成的栅区以及于所述源区和漏区表面形成的电极，所述栅区作为入射光的吸收区。所述栅区吸收入射光时，于所述场效应晶体管的源区与漏区之间形成导电沟道，使所述场效应晶体管导通，于所述场效应晶体管的源极与漏极间产生光电流。由于场效应晶体管尺寸较小，具有内在增益，使其响应度较高，因而基于场效应晶体管结构的光电探测器尺寸较小，响应度较高，适用于各种光电集成电路及光通信系统。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 探测器 集成电路 光通信 系统 | ||
【主权项】：
一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器由场效应晶体管改制而成，包括衬底、于所述衬底边角处形成的源区和漏区、于所述衬底表面形成的栅区以及于所述源区和漏区表面形成的电极，所述栅区作为入射光的吸收区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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