[实用新型]一种采用垂直电感的压控振荡器电路有效

专利信息
申请号: 201220125599.8 申请日: 2012-03-29
公开(公告)号: CN202524360U 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: 高海军;孙玲玲;刘军 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: H03B5/08 分类号: H03B5/08
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 杜军
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型涉及一种采用垂直电感的压控振荡器电路。本实用新型中两个PMOS管的源极与电源电压连接,两个NMOS管源极接地;第一PMOS管漏极、第二PMOS管栅极、垂直电感一端、第一偏置电容一端、第一固定电容一端、第一NMOS管漏极、第二NMOS管栅极连接作为同相输出端;第二PMOS管漏极、第一PMOS管栅极、垂直电感另一端、第二偏置电容一端、第二固定电容一端、第二NMOS管漏极、第一NMOS管栅极连接作为反相输出端。垂直电感由各金属层上的金属线以及连接各层金属线的通孔构成。本实用新型采用垂直电感作为电容电感谐振型压控振荡器的电感,具有相位噪声低、面积小、与标准工艺兼容的优点。
搜索关键词: 一种 采用 垂直 电感 压控振荡器 电路
【主权项】:
一种采用垂直电感的压控振荡器电路,包括两个NMOS管、两个PMOS管、两个固定电容、两个可变电容、两个偏置电容、两个偏置电阻和一个垂直电感,其特征在于:第一PMOS管(MP1)的源极和第二PMOS管(MP2)的源极与电源电压连接,第一NMOS管(MN1)的源极和第二NMOS管(MN2)的源极接地;第一PMOS管(MP1)的漏极、第二PMOS管(MP2)的栅极、垂直电感(L)的一端、第一偏置电容(C1)的一端、第一固定电容(Cfix1)的一端、第一NMOS管(MN1)的漏极、第二NMOS管(MN2)的栅极连接作为同相输出端(Vout+);第二PMOS管(MP2)的漏极、第一PMOS管(MP1)的栅极、垂直电感(L)的另一端、第二偏置电容(C2)的一端、第二固定电容(Cfix2)的一端、第二NMOS管(MN2)的漏极、第一NMOS管(MN1)的栅极连接作为反相输出端(Vout‑);第一固定电容(Cfix1)的另一端与第二固定电容(Cfix2)的另一端连接;第一偏置电容(C1)的另一端和第一偏置电阻(R1)的一端与第一可变电容(Cvar1)的一端连接,第二偏置电容(C2)的另一端和第二偏置电阻(R2)的一端与第二可变电容(Cvar2)的一端连接,第一可变电容(Cvar1)的另一端与第二可变电容(Cvar2)的另一端连接作为电压控制端(Vtune),第一偏置电阻(R1)的另一端与第二偏置电阻(R2)的另一端连接作为偏置电压输入端(Vbias)。
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