[实用新型]裸片供给装置有效
申请号: | 201220231114.3 | 申请日: | 2012-05-22 |
公开(公告)号: | CN202736902U | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 岩城范明;滨根刚 | 申请(专利权)人: | 富士机械制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;B65G47/91;H01L21/677 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 陆锦华;车文 |
地址: | 日本爱知*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供一种能够迅速地进行裸片的取出作业的裸片供给装置。裸片供给装置(1)具备:负压管线(2);大气压管线(3);能够对负压管线(2)和大气压管线(3)进行切换的阀(4);吸附台(5),具有:吸附孔(53),其与阀(4)连通,通过负压管线(2)的负压对切割膜(91)中的在表面贴附有作为取出对象的裸片(93)的区域(C 1)的背面进行吸附;和销(54),其在区域(C1)被吸附的状态下使区域(C1)的一部分(C2)向表面侧突出,将裸片(93)从切割膜(91)剥离并使裸片(93)突出,直至达到由吸嘴(95)取出裸片(93)的位置;及共用的驱动部(6),使阀(4)的切换动作与销(54)的进退动作以规定的时序进行联动。 | ||
搜索关键词: | 供给 装置 | ||
【主权项】:
一种裸片供给装置,其特征在于,具备:供给负压的负压管线;供给大气压的大气压管线;能够对所述负压管线和所述大气压管线进行切换的阀;吸附台,具有:吸附孔,所述吸附孔与所述阀连通,通过从所述负压管线供给的负压,对贴附有多个裸片的切割膜中的在表面贴附有作为取出对象的所述裸片的区域的背面进行吸附;和销,所述销能够向表面方向和背面方向进退,且在所述区域被吸附的状态下使所述区域的一部分向表面侧突出,一边将所述裸片从所述切割膜剥离,一边使所述裸片突出,直至达到由吸嘴取出所述裸片的位置;及共用的驱动部,使所述阀的切换动作与所述销的进退动作以规定的时序进行联动。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士机械制造株式会社,未经富士机械制造株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201220231114.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:卡用连接器
- 下一篇:用于玻璃基板高温退火时的石英板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造