[实用新型]一种OTB镀膜设备的高均匀性硅烷喷淋装置有效
| 申请号： | 201220242979.X | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN202558934U | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 包崇彬;李丽娟;杨东;舒毅;刘亚龙;罗卫东;罗丹丹;杜莉;李质磊;盛雯婷;张凤鸣 | 申请（专利权）人： | 天威新能源控股有限公司;保定天威集团有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 谭新民 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种OTB镀膜设备的高均匀性硅烷喷淋装置，包括构成圆环状的喷淋管（1），喷淋管（1）设有多个接通喷淋管（1）内部的喷淋孔（2），多个喷淋孔（2）均匀分布在喷淋管（1）构成的圆环内侧壁上，喷淋管（1）构成的圆环外侧壁上设置有一个接通喷淋管（1）内部的硅烷气体输入端口。本实用新型采用上述结构，整体结构简单，便于实现，且通过多个喷淋孔（2）能提高镀出的膜层的均匀性，从而能提高电池片的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 otb 镀膜 设备 均匀 硅烷 喷淋 装置 | ||
【主权项】：
一种OTB镀膜设备的高均匀性硅烷喷淋装置，其特征在于：包括构成圆环状的喷淋管（1），所述喷淋管（1）设有多个接通喷淋管（1）内部的喷淋孔（2），多个喷淋孔（2）均匀分布在喷淋管（1）构成的圆环内侧壁上，所述喷淋管（1）构成的圆环外侧壁上设置有一个接通喷淋管（1）内部的硅烷气体输入端口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天威新能源控股有限公司;保定天威集团有限公司，未经天威新能源控股有限公司;保定天威集团有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201220242979.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
