[实用新型]双沟型GPP钝化保护二极管芯片有效
| 申请号： | 201220259601.0 | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN202585425U | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 汪良恩;裘立强;王毅;游佩武 | 申请（专利权）人： | 扬州杰利半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L23/29;H01L23/00 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 225008 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 双沟型GPP钝化保护二极管芯片。涉及对双沟型GPP钝化保护二极管芯片结构的改进。提供了一种能避免产生隐裂和PN结损伤，且节约材料的双沟型GPP钝化保护二极管芯片。所述芯片的顶面开设有一圈凹槽，所述凹槽内设置有GPP钝化保护层；在所述凹槽外缘的外侧还设有一圈切割保护区。本实用新型从晶片正面的保护凹槽外部的保护区下刀切割，避免了现有技术中在切割沟槽底部的过程中对芯片PN结造成的应力损伤，使得本实用新型产品正面的沟槽底部完全被玻璃填满，能够对PN结起到更好的钝化保护作用，使得芯片品质有很好地保证。此外，对切割保护区的尺寸，在满足机械切割工具可靠工作的同时，避免了材料的浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 双沟型 gpp 钝化 保护 二极管 芯片 | ||
【主权项】：
双沟型GPP钝化保护二极管芯片，所述芯片的顶面开设有一圈凹槽，所述凹槽内设置有GPP钝化保护层；其特征在于，在所述凹槽外缘的外侧还设有一圈切割保护区。
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