[实用新型]氮化硅膜制备装置有效
申请号: | 201220325683.4 | 申请日: | 2012-07-06 |
公开(公告)号: | CN202643837U | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 陈五奎;李军;徐文州;耿荣军;查恩 | 申请(专利权)人: | 乐山新天源太阳能科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C23C16/455 |
代理公司: | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人: | 刘世平 |
地址: | 614000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种能够使各种制程气体混合均匀的氮化硅膜制备装置。该氮化硅膜制备装置,包括真空沉积室,真空沉积室内设置有多个等离子反应器,真空沉积室上设置有进气口与抽气口,所述进气口上连接有气体混合装置,所述气体混合装置上设置有进口与出口,所述进口上连接有多个用于通入制程气体的进气管,所述出口与真空沉积室的进气口连通。先利用气体混合装置对各种制程气体进行混合,使其混合均匀后,再通入真空沉积室内进行反应,这样真空沉积室内各处的气体成分以及各成分的浓度都相同,可以使真空沉积室内不同地方的硅片表面沉积的氮化硅的成分以及膜厚都趋于一致,能够大大提高产品质量。适合在晶体硅太阳能生产设备领域推广应用。 | ||
搜索关键词: | 氮化 制备 装置 | ||
【主权项】:
氮化硅膜制备装置,包括真空沉积室(1),真空沉积室(1)内设置有多个等离子反应器(2),真空沉积室(1)上设置有进气口(3)与抽气口(4),其特征在于:所述进气口(3)上连接有气体混合装置,所述气体混合装置上设置有进口(65)与出口(66),所述进口(65)上连接有多个用于通入制程气体的进气管(5),所述出口(66)与真空沉积室(1)的进气口(3)连通。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的