[实用新型]一种灰阶掩膜版、阵列基板、显示装置有效
申请号: | 201220405695.8 | 申请日: | 2012-08-15 |
公开(公告)号: | CN202710919U | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 惠官宝;张锋 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/60;H01L27/02 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 韩国胜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种灰阶掩膜版、阵列基板、显示装置。该灰阶掩膜版包括:掩膜版主体,掩膜版主体上具有驱动电路图案区域和像素显示图案区域,驱动电路图案区域中包括第一源电极掩膜图案和第一漏电极掩膜图案,该两者之间具有第一沟道区,其内设有第一灰阶线条图案;像素显示图案区域中包括第二源电极掩膜图案和第二漏电极掩膜图案,该两者之间具有第二沟道区,其内设有第二灰阶线条图案;第一灰阶线条图案的宽度大于第二灰阶线条图案的宽度。使用上述灰阶掩膜版制作的阵列基板,包含驱动电路区和像素显示区,所述驱动电路区的薄膜晶体管的半导体层具有均一厚度,且所述像素显示区的薄膜晶体管的半导体层具有均一厚度。所述显示装置,包括上述阵列基板。 | ||
搜索关键词: | 一种 灰阶掩膜版 阵列 显示装置 | ||
【主权项】:
一种灰阶掩膜版,其特征在于,包括:掩膜版主体,所述掩膜版主体上具有驱动电路图案区域和像素显示图案区域,所述驱动电路图案区域中包括第一源电极掩膜图案和第一漏电极掩膜图案,所述第一源电极掩膜图案和第一漏电极掩膜图案之间具有第一沟道区,所述第一沟道区内设有第一灰阶线条图案;所述像素显示图案区域中包括第二源电极掩膜图案和第二漏电极掩膜图案,所述第二源电极掩膜图案和第二漏电极掩膜图案之间具有第二沟道区,所述第二沟道区内设有第二灰阶线条图案;所述第一灰阶线条图案的宽度大于第二灰阶线条图案的宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201220405695.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:皮带输送机头部清扫装置
- 下一篇:免开门取酒酒柜
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备